DDR4

概述：LPDDR4/4X 内存芯片为第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器, 采用了LVSTL 的低功耗接口及多项降低功耗的设计。在高速传输上, LPDDR4X 内存芯片相较于第三代有着更优越出色的低耗表现, 服务于性能更高、功耗更低的移动设备。

特性：

• 容量16Gb,位宽32位

• 电压

- VDD1=1.8V(1.70V to 1.95V)

- VDD2=VDDQ=1.1V(1.06V to 1.17V)

- 或VDDQ=0.6V(0.57V to 0.65V)

• 数据完整性

- 部分阵列自刷新（PASR）

- 每个通道8个Bank，用于并发操作

- 针对每个库进行定向刷新，以实现并行库操作和轻松的命令调度

- 单数据速率CMD/ADR输入

• 节能高效

- 符合RoHS，绿色封装

- 每个Die高达8.5 Gb/s

- 片上温度传感器，控制自刷新率

• DRAM访问带宽

- 16N预取DDR框架

• 速度等级:2133MHz (数据速率4266MHz)

• 信号完整性

- 时钟停止功能

- 可编程读写延迟（RL/WL）

- 可编程和实时突发长度（BL=16、32）

- 每字节通道双向/差分信号选通

- 可选输出驱动强度（DS）

- 可编程VSS（OTD）终端

• 温度范围

- 军温级：-55℃∼125℃

- 军级(N1)：-55℃∼125℃