DDR4

概述：

一款容量8G的DDR4 SDRAM芯片，具备ODT、数据总线反转、自刷新、以及TEN等功能。在-55℃ ~ +125℃温度范围均可进行工作，具有预充电，最大节能模式等特点。

特性：

•512M×16 8Gb容量

•电压

- VDD=VDDQ=1.2V(1.14V to 1.26V)

- VPP=2.5V(2.375V to 2.75V)

•数据完整性

- 通过DRAM内置TS自动自刷新（ASR)

- 自动刷新和自刷新模式

• 可靠性与错误处理

- 命令/地址奇偶校验

- 数据总线写入CRC

- MPR读出

- 边界扫描

• 节能高效

- 带VDDQ终端的POD

- 命令/地址延迟（CAL）

- 最大节能

- 低功耗自动自刷新（LPASR）

• DRAM访问带宽

- 按Bank群划分的独立IO门控结构

- 按Bank群划分的独立IO门控结构

- 自刷新终止

• 信号同步

 - 通过MR设置进行写电平

 - 通过MPR设置进行读电平

• 信号完整性

- 内部BREFDQ训练

- 读取前导码训练

- 减速模式

- 每DRAM可寻址性

- 系统兼容性的可配置DS

- 数据总线反转（DBI)

- 通过外部接口ZQ引脚（240ohm+/-1%) 对DS/ODT阻抗精度进行ZQ校准

•速度等级：2666Mbps/19-19-19

温度范围

- 军温级：-55℃∼125℃

- 军级(N1)：-55℃∼125℃