DDR4

概述：

一款容量8G的DDR4 SDRAM芯片，具备ODT、数据总线反转、自刷新、以及TEN等功能。在-55℃ ~ +125℃温度范围均可进行工作，具有预充电，最大节能模式等特点。

特性：

•1G×8 8Gb容量

•电压

- VDD=VDDQ=1.2V(1.14V to 1.26V)

- VPP=2.5V(2.375V to 2.75V)

•数据完整性

- 支持自动刷新和自刷新模式

- 内部生产的数据输入Vref

- 用于写入数据的数据掩码（DM）

•可靠性与错误处理

- 支持命令地址（CA）奇偶校验

- 支持连接测试模式（TEN）

- 支持hPPR和sPPR

- 持写入循环冗余码（CRC）

•节能高效

- 最大节能模式（MPSM)

- 支持低功耗自动自刷新模式（LPASR）

- 接口：1.2V伪开漏（POD）IO

- 可编程CAS延迟(CL)/可编程CAS写延迟(CWL)

•DRAM访问带宽

- 16个Bank（×8），4个Bank群，每个群有4个Bank

- 8n位预取体系结构

- 较小tRFC的精细粒度刷新2x、4x模式

- 突发长度（BL):8和4 Burst Chop（BC)

•信号完整性

- 可编程数据选通前导码

- 降速模式

- 每个DRAM可寻址性（PDA）

- 系统兼容性的可配置DS

- 数据总线反转（DBI)

- 通过ZQ引脚校准输出驱动（RZQ:240ohm±1%）

- 差分时钟和数据选通输入（CK_t，CK_c；

DQS_t，DQS_c）

- On-Die端接（ODT）:支持 Nominal, Park and

Dynamic ODT

•异步重设以启动

•预充电：每次突发访问的自动预充电选项

•符合JEDEC JESD-79-4,符合RoHS

温度范围

- 军温级：-55℃∼125℃

- 军级(N1)：-55℃∼125℃